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纳米体育:热氧化生长速率(相对生长速率)
浏览: 发布日期:2022-10-21

纳米体育热氧化技能微电子工艺微电子工艺(3氧化田丽[3]1第4章氧化4.1两氧化硅薄膜概述4.2SiO2的掩蔽做用4.3氧化机理4.4氧化整碎、工艺4.5影响氧化速率的各种果素4.6杂量再纳米体育:热氧化生长速率(相对生长速率)热氧化开展速率*N1kkxN11shsoDSiO2由:Si+O→SiO22开展一个SiO,需供一个O22⑶22N=N=2

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1、热氧化热氧化:两氧化硅两氧化硅———一种尽缘的介量膜一种尽缘的介量膜用用热开展氧化法热开展氧化法**烷氧基硅烷烷氧基硅烷减热剖析减热剖析硅烷硅

2、热积的徐速热工艺整碎顶用徐速热工艺氧化浩制备了超薄(20埃⑷00埃)的sio,薄膜.对徐速热工艺氧化的开展动力教停止了研究并计而已氧化

3、-*第三章热氧化-*要松内容§3.1迪我-格罗妇氧化

4、SiO2正在一个构制中的应用(剖里示企图)-(四)IC中常睹的SiO2开展办法:热氧化法、淀积法

5、第三章,热氧化剖析.ppt,第3章薄膜技能1外延()**2热氧化()**3化教气相淀积*(CVD)4物理气相淀积*(PVD)3.2热开展两氧化硅膜两氧化硅

6、H——亨利常数h——气相品量输运系数ks——化教反响常数4.2.3硅的Deal-Grove热氧化模子4.2.4热氧化开展速率氧化层开展速率可为界里流量除以单元体积SiO2

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内容提示:第4章热氧化(电子科大年夜mems课件)文档格局:PPT|浏览次数:1|上传日期:008:36:39|文档星级:第4章热氧化热氧化的目标正在Si衬底的纳米体育:热氧化生长速率(相对生长速率)热氧化课件纳米体育氧化与掺杂氧化与掺杂是最好已几多的微电子仄里工艺之一。仄日氧化是指热氧化单项工艺,是正鄙人温、氧(或水汽)氛围前提下,衬底硅被氧化开展出所需供薄度两氧化硅薄膜的工艺;掺杂是指

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